三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产
最近有消息人士透露， 三星基于1dnm制程（第七代 10nm 级别工艺）的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。三星已计划无限期推迟大规模量产，直至良品率达到既定目标。 为此，三星可能会全面审查工艺流程，以进一步提升良品率。 按照原计划， 三星拟将1dnm工艺制造的DRAM芯
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