罗姆完成第 5 代碳化硅（SiC）MOSFET 开发，高温导通电阻降低约 30%
IT之家 4 月 21 日消息，日本半导体制造商 ROHM（罗姆）今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代， 新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30% 。 罗姆表示，在各类
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