HBM - 钛刻 - 科技风向旗 - 深度刻画技术趋势,引领数字未来 - 钛刻科技 | TCTI.cn

HBM - 钛刻 - 科技风向旗 - 深度刻画技术趋势,引领数字未来 - 钛刻科技 | TCTI.cn - 钛刻 (TCTI.cn) 为您提供最前沿的硬核科技资讯、深度评测和未来技术趋势分析。

共 17 篇相关文章

三星官宣停产 LPDDR4/X 内存,产能聚焦 LPDDR5/X 与 HBM 等 AI 需求产品

三星官宣停产 LPDDR4/X 内存,产能聚焦 LPDDR5/X 与 HBM 等 AI 需求产品 - IT之家 1 个帖子 - 1 位参与者 阅读完整话题

tech linux.do 2026-05-01 13:59:15+08:00

三星官宣停产 LPDDR4/X 内存,产能聚焦 LPDDR5/X 与 HBM 等 AI 需求产品

IT之家 5 月 1 日消息,三星官方正式确认停产 LPDDR4 与 LPDDR4X 内存, 将产能全面转向 LPDDR5、LPDDR5X 及 HBM 等 AI 急需的高利润技术 。 在本月初相关爆料流出后 ,三星官网已正式将 LPDDR4 和 LPDDR4X 内存标准标注为停产

tech www.ithome.com 2026-05-01 13:25:16+08:00

三星电子计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存

IT之家 4 月 30 日消息,三星电子 (Samsung Electronics) 今日公布了正式的 2026Q1 财报并对各业务的发展进行了介绍,其中在存储器业务部分提到, 计划 2026Q2 出样 HBM4E 内存 。 三星电子设备解决方案 (DS) 部存储器业务代表在电话

tech www.ithome.com 2026-04-30 16:14:24+08:00

三星电子一季度净利润47.1万亿韩元

三星电子发布财报,2026年第一季度销售额133.9万亿韩元,净利润47.1万亿韩元。三星电子表示,将于第二季度出货HBM4E样品。 47.1万亿韩元,约317.27亿美元,约2161.89亿人民币 2 个帖子 - 2 位参与者 阅读完整话题

tech linux.do 2026-04-30 09:19:53+08:00

Google第八代TPU搭配2PB HBM 成功打破被视为AI瓶颈的内存墙

内存价格这一年来涨了3-5倍,已经严重影响了大家对PC和手机的消费意愿,而导致这次内存大涨价的元凶就是AI需求太猛。大家都知道AI对内存(GPU上算显存)的容量及带宽要求都很高,但具体能高到什么程度?Google前几天发布的第八代TPU就是最好的例子。 今年的TPU v8首次针对

tech plink.anyfeeder.com 2026-04-26 15:36:27+08:00

英特尔合作开发 ZAM 内存获日本政府补贴:号称功耗比传统 HBM 低约 40%,目标 2029 年左右实现量产

IT之家 4 月 24 日消息,软银集团旗下子公司 SAIMEMORY 正与英特尔合作开发 ZAM 内存。 SAIMEMORY 称日本新能源产业技术综合开发机构已选定该技术开发项目作为政府补贴对象,补贴可能覆盖该项目绝大部分研发成本。另外,该项目已经入选 NEDO 的后 5G 基

tech www.ithome.com 2026-04-24 18:10:54+08:00

SK 海力士计划 2026H2 出样 HBM4E:基于 1c DRAM,2027 年量产

IT之家 4 月 23 日消息,SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议,会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作,计划 2026H2 开始供应样品。 SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1

tech www.ithome.com 2026-04-23 17:26:11+08:00

三星1dnm DRAM良品率未达标 或导致HBM5E推迟量产

最近有消息人士透露, 三星基于1dnm制程(第七代 10nm 级别工艺)的 DRAM 芯片在试产阶段良品率低于预期。三星已计划无限期推迟大规模量产,直至良品率达到既定目标。 为此,三星可能会全面审查工艺流程,以进一步提升良品率。 按照原计划, 三星拟将1dnm工艺制造的DRAM芯

tech plink.anyfeeder.com 2026-04-22 18:35:19+08:00

SK 海力士举行 P&T7 先进封装设施奠基仪式,将服务于 HBM 等制造

IT之家 4 月 22 日消息,SK 海力士当地时间今日在韩国忠清北道清州市举行了先进封装设施 P&T7 的奠基仪式,这座总投资 19 万亿韩元 (IT之家注:现汇率约合 882.17 亿元人民币) 、占地面积 23 万平方米的大型后端工厂 将专注于制造 HBM 等 AI

tech www.ithome.com 2026-04-22 15:34:21+08:00

消息称 SK 海力士 38.7 亿美元美国工厂动工,计划 2028 年投产 HBM4E 和 HBM5

IT之家 4 月 22 日消息,集邦咨询 Trendforce 今天(4 月 22 日)发布博文,报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂, 投资约 38.7 亿美元(IT之家注:现汇率约合 264.57 亿元人民币),计划 2028 年下半年投产,

tech www.ithome.com 2026-04-22 14:38:16+08:00

三星晶圆代工合作伙伴 GAONCHIPS 完成 1XPU + 4HBM 先进封装验证

IT之家 4 月 20 日消息,三星晶圆代工设计解决方案合作伙伴 GAONCHIPS 上周宣布其完成了 1ASIC + 4HBM 异构集成的技术验证,为首款 2.5D 先进封装产品的今年夏季量产打下了基础。 IT之家了解到, GAONCHIPS 测试芯片采用了三星电子的 I-Cu

tech www.ithome.com 2026-04-20 18:20:03+08:00

三星吹响 AI 竞争号角,HBM 开发周期砍半缩至 1 年

IT之家 4 月 18 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(4 月 17 日)发布博文,报道称三星电子为应对 AI 市场需求激增,并匹配英伟达等主要客户每年推出新 AI 加速器的节奏, 将高带宽内存(HBM)开发周期从 2 年大幅缩短至 1 年。 消息称三星电子战略调整高带

tech www.ithome.com 2026-04-18 13:04:48+08:00

消息称三星电子计划 5 月生产首批 HBM4E 内存性能样品

IT之家 4 月 16 日消息,韩媒 ChosunBiz 当地时间今晨报道称, 三星电子计划在 5 月生产首批性能可满足客户要求的 HBM4E 内存样品 ,为 2027~2028 年的供应打下基础。 三星电子在今年早些时候的 NVIDIA 英伟达 GTC 2026 上公开展示了

tech www.ithome.com 2026-04-16 10:44:48+08:00

消息称三星晶圆代工 HBM4 内存基础裸片报价上调 40~50%

IT之家 4 月 14 日消息,韩媒 fnNews 当地时间昨日报道称, 三星晶圆代工已将 4nm 制程工艺的 HBM4 内存基础裸片 (Base Die) 报价上调 40~50% ,这将推高存储器业务的 HBM 制造整体成本。 三星晶圆代工之所以在与兄弟部门的价格谈判中掌握优势

tech www.ithome.com 2026-04-14 10:16:28+08:00

SK海力士:计划下半年向客户提供HBM4E样品,2027年实现量产

据报道,SK海力士表示,计划今年下半年向客户提供HBM4E样品,目标是在2027年实现HBM4E量产。该公司称,预计未来三年来自客户的HBM需求将远超过公司的HBM产能。(界面)

tech 36kr.com

内存价格可能还要涨,HBM千亿美元大市场来了

长江证券电子行业资深分析师蔡少东表示:“HBM (高带宽内存)这个新的产品在过去三年其实完成了10倍以上的增长,我们可以看到2025年整个市场规模是在350亿美元,预计2027到2028年整个市场应该会突破1000亿美元。”“我们自己的判断是,在二季度合约的价格,有希望环比上涨3

tech 36kr.com

最前线 | 远见智存发布HBM3/3e高带宽存储芯片,带宽迈入800GB/s级别

作者 | 乔钰杰 编辑 | 袁斯来 近期,深圳远见智存科技有限公司发布其HBM3/3e高带宽存储芯片产品,提供12GB与24GB两种容量规格,带宽达819GB/s,对标JEDEC国际标准体系。 远见智存HBM3/3e产品规格(图源/企业) HBM(High Bandwidth M

tech 36kr.com