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消息称英特尔携手力积电等将展示 9 层 DRAM 堆叠，压制 AI 内存功耗

IT之家 5 月 22 日消息，集邦咨询今天（5 月 22 日）发布博文，基于泄露的 VLSI 2026 会议摘要，力积电（PSMC）将联合英特尔、SAIMEMORY（软银旗下）展示 Via-in-One TSV 架构，主打更高带宽和更低数据传输功耗。报道指出英特尔正携手软银

tech IT之家 2026-05-22 14:09:57+08:00

api3.cls.cn HBM要装进手机了？三星电子开发新型封装技术内存堆叠数量可翻1.5倍 HBM要装进手机了？三星电子开发新型封装技术内存堆叠数量可翻1.5倍 2 个帖子 - 2 位参与者阅读完整话题

tech LinuxDo 最新话题 2026-05-18 09:52:32+08:00

如图，看到这个之后，我仔细想了一下，这个是不是意味着顶级大模型已经无法依赖简单资源堆叠去进化了？或者说现在ai大模型已经做成飞轮效应了，ai大模型已经开始进行入决赛评选了？ 3 个帖子 - 3 位参与者阅读完整话题

tech LinuxDo 最新话题 2026-05-07 23:09:22+08:00

IT之家 5 月 4 日消息，据 TrendForce 今天报道，铠侠、闪迪将在 6 月 14-18 日参加 VLSI Symposium 研讨会，届时将同步展出多层堆叠单元架构 QLC NAND 闪存，向突破 1000 层 3D NAND 迈进。据报道，闪迪和铠侠已经提前展示

tech www.ithome.com 2026-05-04 15:36:40+08:00

IT之家 4 月 30 日消息，在北美技术研讨会上，台积电更新公布 SoIC 3D 堆叠技术路线图，明确了未来几年的技术演进方向。台积电计划缩小现有的 6μm 互连间距，目标到 2029 年缩小至 4.5μm。 IT之家注：SoIC 全称 System on Integrate

tech www.ithome.com 2026-04-30 15:32:59+08:00

IT之家 4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。 NEO Semiconductor 的

tech www.ithome.com 2026-04-24 15:22:34+08:00